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氧化亚硅升华炉
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氧化亚硅升华炉

  • 热场/炉膛:陶瓷纤维炉膛
  • 加热元件:电阻丝,硅碳棒,硅钼棒
  • 最高温度/工作温度:1200℃/≤1100℃,1400℃/≤1300℃,1700℃/≤1600℃
  • 真空度:高真空,低真空,非真空
  • 气氛条件:惰性气氛(N2、CO2、Ar2等)
  • 适应单位:高等院校、科研单位等。
  • 应用行业:氧化亚硅升华
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氧化亚硅升华炉(实验型)介绍

实验室氧化亚硅升华炉适用于氧化亚硅等可气相沉积材料在科研所、高校等场所的小批量实验,所以也叫做实验室氧化亚硅升华炉;

采用高真空系统、升华系统、最后的沉积系统(气相沉积)材料自动研磨刮料,炉内收集等特殊工艺能力。

氧化亚硅升华炉

气相沉积炉cvd

氧化亚硅升华炉设备性能特点

氧化亚硅升华炉作为一款专为特定材料处理设计的精密设备,其独特之处体现在多个方面,尤其适合高校、科研机构及实验室等环境使用,展现了极高的性价比优势。

小批量处理能力强:

该设备显著的特点之一是单次装料量适中偏小,这一设计初衷正是为了满足科研实验对于灵活性和精确性的需求。无论是进行材料性能的基础研究,还是新型材料的探索性实验,氧化亚硅升华炉都能以最小的物料投入,实现最大化的科研价值,助力科研工作者快速迭代实验方案,加速科研进程。

全封闭自动化操作:

设备采用全封闭结构设计,结合先进的自动化技术,构建了一个无尘、无氧、高度稳定的作业环境。这一设计不仅极大地减少了外界因素对实验过程的干扰,确保了实验结果的准确性和可重复性,同时也为操作人员提供了安全的作业空间,有效避免了有害物质的直接接触和泄露风险,实现了生产效率与人员安全的双重保障。

真空稳定运行:

氧化亚硅升华炉能够在真空度下稳定工作,这是其又一核心优势。真空环境能够有效隔绝空气中的氧气、水蒸气等杂质,避免它们在高温下与材料发生反应,从而保证了材料在升华过程中的纯度和质量。同时,真空条件还有助于提高热传导效率,加速升华过程,进一步提升了设备的生产效率和产品品质。

综上所述,氧化亚硅升华炉以其小批量处理能力、全封闭自动化操作以及真空稳定运行等特性,成为了科研领域不可或缺的重要工具,为材料科学的发展注入了新的活力。

技术参数

产品名称

氧化亚硅升华炉

产品型号

氧化亚硅升华炉

真空度

高真空

加热区长度

可定制

炉管尺寸

可定制

炉管材质

高纯石英管

工作温度

≤1500℃

温控系统

人工智能PID仪表,自动控制温度

温控精度

±1℃ (具有超温及断偶报警功能)

加热速率

建议 0~10℃/min

加热元件

高品质硅钼棒

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