实验型PECVD管式炉

设备介绍

实验级PECVD管式炉：射频等离子体赋能低温高效气相沉积

天津博纳热的实验级PECVD管式炉，也叫做实验型等离子体增强化学气相沉积设备，通过引入高性能射频电源激发稳定均匀的等离子体，显著降低了材料生长所需的活化能，实现了更低温度下的高效沉积，为您的创新研究提供强大助力。

设备优势

1. 高性能射频电源，缔造稳定均匀的等离子体

稳定之源：采用全固态自动阻抗匹配射频电源，功率输出稳定，能自动补偿反应腔内阻抗变化，有效抑制等离子体的闪烁与熄灭。

均匀之基：优化的电极设计和稳定的功率输出，共同确保了大面积、高均匀性的辉光等离子体，为薄膜的均匀沉积奠定坚实基础。

2. 创新滑轨式反应腔室设计，确保样品处于更好工艺区

精准定位：独特的滑轨式结构，可使石英管反应腔轻松、平稳地整体移出或推入。这一设计确保了您的样品始终被精确置于等离子体辉光的均匀区域中心，彻底解决了因样品位置偏差导致的镀膜不均问题。

操作便捷：便于样品的快速放置、取出的腔体清洁维护，极大提升了实验效率。

3. 高效的快速升降温系统，提升实验效率

快速升温：采用优质保温材料与优化的炉膛设计，实现≤20℃/min的快速升温速率(可根据需求定制更快速率)，缩短工艺等待时间。

快速降温：炉体采用强化风冷系统，在完成沉积过程后能主动加速降温，大幅缩短实验周期，助您更快地获得实验结果。

4. 全面的系统集成与安全保障

集成化气路：预留多个气路接口，可方便连接质量流量计，实现反应气体的精确配比与控制。

真空系统：可选配高真空系统，确保反应前腔室具有高本底真空度，排除杂质干扰。

多重安全保护：系统集成过流保护、过温保护、冷却水压报警等，确保设备与人员安全。

设备应用领域

本系统是以下前沿研究的重要工具：

二维材料生长：如石墨烯、六方氮化硼 的大面积、低温制备。

功能薄膜沉积：如类金刚石薄膜、氮化硅、氧化硅 绝缘层或钝化层的沉积。

纳米材料合成：用于碳纳米管、纳米线 的等离子体辅助催化生长。

光学薄膜：在光学元件上沉积增透膜、减反膜。

高校与研究机构：用于材料、物理、微电子 等专业的先进实验教学与科研。

常见问题解答 (FAQ)

Q1: 这款PECVD设备能否同时进行普通的热CVD实验？

A: 完全可以。我们的系统集成了完整的管式炉加热单元，您可以在不开启射频电源的情况下，将其作为一台高性能的常规管式炉使用，进行热CVD、烧结、退火等实验，一机多用，性价比极高。

Q2: 滑轨式设计在实际操作中有什么具体好处？

A: 其主要优势有两点：一是保证重复性，每次都能将样品精确送到同一最佳位置，确保不同批次实验条件一致;二是便于维护，腔体可轻松移出进行彻底清洁，或更换不同规格的石英管，维护非常方便。

Q3: 射频电源的自动匹配功能重要吗？

A: 至关重要。手动匹配在工艺气体变化时需要反复调整，效率低且难以稳定。自动阻抗匹配能实时跟踪并调整，确保射频功率高效、稳定地耦合到等离子体中，这是获得稳定、可重复沉积结果的关键。